高光谱遥感的探测器焦平面技术
成像光谱仪的发展首先依赖于探测器焦平面技术的发展。目前世界上硅焦平面探测器技术已十分成熟,大面阵和长线阵的硅电感耦合器件(charge coupled device . CCD)也已经商品化。因此，采用硅CCD面阵把可见/近红外波段的成像光谱仪的光谱采样间隔细分到1～2 nm也并不困难。国际上已有多种采用面件CCD探测器的高质量成像光谱仪。而红外波段的成像光谱仪的发展更是受益于红外焦平面器件性能的提高，在短波红外光谱方面，目前常用的器件有InSb,HgCdTe等，但为了保证系统有足够的灵敏度，要求器件的峰值D在10以上，如在AVIRIS系统中使用的InSb器件就具有此性能。
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